最近几天，中国科学技术大学网站发布，中国科学技术大学在6G滤镜领域取得重要进展研究成果是微电子所左教授研究团队在铌酸锂压电薄膜上设计并实现了Q值超过10万的高频 MEMS谐振器与文献中已有的工作相比，Q值提高了两个数量级

根据消息显示，相关成果于5月16日以《15度三维欧拉角下的超高铌酸锂谐振器》为题在线发表在电子器件领域知名期刊《IEEE电子器件快报》上。

研究人员提出了一种基于三维欧拉角α在x切单晶铌酸锂压电薄膜上设计制作高频MEMS谐振器的方法通过设计谐振器的电极结构，激发出工作在6.5 GHz的S1振动模式，当声波传播方向为15°时，谐振器在并联谐振频率处的品质因数高达131540，对应的谐振器品质因数k2qp和fpqp分别为6300和8.6×1014Hz

1.新型MEMS谐振器的结构设计和性能测试:三维欧拉角的定义:制备的谐振器的SEM照片，15谐振器导纳曲线的测试结果

如图2所示，与近10年来工作在相似频段的其他谐振器相比，新型MEMS谐振器的Q值提高了两个数量级，首次突破了谐振频率与Q值乘积难以同步提高的问题更重要的是，相关工作成功找到了利用三维欧拉角控制铌酸锂薄膜介电损耗和声损耗的新机制，为微纳器件在高频无线通信，医学超声成像，智能信息处理，物联网传感器等未来应用开辟了更多可能性

图二近10年来新型MEMS谐振器与其他铌酸锂谐振器的Q值比较

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